Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Misiuk A$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 4
Представлено документи з 1 до 4
|
1. |
Bak-Misiuk J. Ferromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature-pressure [Електронний ресурс] / J. Bak-Misiuk, P. Romanowski, J. Domagala, A. Misiuk, E. Dynowska, E. Lusakowska, A. Barcz, J. Sadowski, W. Caliebe // Физика и техника высоких давлений. - 2009. - Т. 19, № 2. - С. 32-40. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhTVD_2009_19_2_6
| 2. |
Misiuk A. Дефекты в Si:N, обработанном при высоких температурах и давлениях, проявляющиеся в результате травления в дейтериевой плазме [Електронний ресурс] / A. Misiuk, A. Barcz, A. Ulyashin, M. Prujszczyk, J. Bak-Misiuk, P. Formanek // Физика и техника высоких давлений. - 2010. - Т. 20, № 4. - С. 53-59. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhTVD_2010_20_4_6
| 3. |
Misiuk A. Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon [Електронний ресурс] / A. Misiuk, A. Barcz, A. Ulyashin, I. V. Antonova, M. Prujszczyk // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 2. - С. 161-165. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_2_12 Hydrogen gettering by buried layers formed in oxygen-implanted silicon (Si:O prepared by <$E roman O sub 2 sup +> implantation at the energy 200 keV and doses 10<^>14 and 10<^>17 cm<^>-2) was investigated after annealing of Si:O at temperatures up to 1570 K, including also processing under enhanced hydrostatic pressure, up to 1,2 GPa. Depending on processing conditions, buried layers containing SiO2-x clusters and/or precipitates were formed. To produce hydrogen-rich Si:O,H structures, Si:O samples were subsequently treated in RF hydrogen plasma. As determined using secondary ion mass spectrometry, hydrogen was accumulated in sub-surface region as well as within implantation-disturbed areas. It has been found that hydrogen was still present in Si:O,H structures formed by oxygen implantation with the dose <$E D~=~10 sup 7~roman cm sup -2> even after post-implantation annealing up to 873 K. It is concluded that hydrogen accumulation within the disturbed areas in Si:O as well as in SOI structures can be used for recognition of defects.
| 4. |
Misiuk A. Nauki o bezpieczeństwie – geneza, istota i perspektywy rozwoju [Електронний ресурс] / A. Misiuk // BITP. - 2018. - Vol. 50, Issue 2. - С. 16-26. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/bitp_2018_50_2_3
|
|
|